在完成反相器的電路原理圖設(shè)計(jì)后,我們需要進(jìn)行Layout(版圖)設(shè)計(jì),這是集成電路物理實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵步驟。
Layout設(shè)計(jì)準(zhǔn)備工作:
- 確保電路原理圖已經(jīng)通過(guò)DRC檢查
- 確定工藝文件(PDK)已正確加載
- 熟悉工藝設(shè)計(jì)規(guī)則
- 了解器件尺寸和連接關(guān)系
a) 創(chuàng)建Layout視圖
在Library Manager中,為反相器cell創(chuàng)建Layout視圖,進(jìn)入Virtuoso Layout Editor界面。
b) NMOS和PMOS器件放置
- 使用Create->Instance放置NMOS和PMOS晶體管
- 注意PMOS需要放置在N阱中
- 根據(jù)原理圖尺寸設(shè)置晶體管的W/L參數(shù)
- 確保器件間距滿足設(shè)計(jì)規(guī)則
c) 金屬連線
- 使用Metal1層連接源極和漏極
- 輸入信號(hào)連接到兩個(gè)柵極
- 輸出信號(hào)從漏極連接點(diǎn)引出
- 電源VDD使用Metal1連接到PMOS源極
- 地線VSS使用Metal1連接到NMOS源極
d) 接觸孔和通孔
- 在需要連接的不同層之間添加接觸孔(Contact)
- 多晶硅與金屬1之間需要添加相應(yīng)的接觸孔
完成Layout繪制后,必須進(jìn)行DRC(設(shè)計(jì)規(guī)則檢查):
`
Verify->DRC
選擇相應(yīng)的工藝規(guī)則文件
運(yùn)行檢查并修正所有違規(guī)
重點(diǎn)關(guān)注:
- 最小間距
- 最小寬度
- 包圍規(guī)則
- 天線效應(yīng)`
LVS(版圖與原理圖對(duì)比)確保Layout與原理圖一致:
Verify->LVS
設(shè)置原理圖和版圖源
運(yùn)行對(duì)比
檢查器件匹配、網(wǎng)絡(luò)匹配
修正不匹配項(xiàng)直到完全通過(guò)
在通過(guò)DRC和LVS后,進(jìn)行寄生參數(shù)提取:
Verify->Extract
生成帶有寄生參數(shù)的網(wǎng)表
提取電阻、電容等寄生元件
a) 創(chuàng)建后仿真配置
- 在ADE L界面創(chuàng)建新的仿真配置
- 選擇提取的寄生參數(shù)網(wǎng)表
- 設(shè)置與原理圖仿真相同的激勵(lì)和參數(shù)
b) 后仿真分析`
瞬態(tài)分析:觀察輸入輸出波形
直流分析:檢查電壓傳輸特性
交流分析:分析頻率響應(yīng)
Monte Carlo分析:考慮工藝偏差`
關(guān)鍵性能指標(biāo)對(duì)比:
- 傳輸延遲時(shí)間
- 上升/下降時(shí)間
- 功耗
- 噪聲容限
- 驅(qū)動(dòng)能力
常見差異分析:
- 寄生電容導(dǎo)致的延遲增加
- 寄生電阻引起的電壓降
- 耦合效應(yīng)帶來(lái)的信號(hào)完整性問(wèn)題
根據(jù)后仿真結(jié)果進(jìn)行Layout優(yōu)化:
通過(guò)反相器的Layout設(shè)計(jì)和后仿真,我們建立了完整的集成電路設(shè)計(jì)流程,為更復(fù)雜電路的設(shè)計(jì)打下了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。在實(shí)際項(xiàng)目中,這個(gè)過(guò)程需要反復(fù)迭代,直到所有性能指標(biāo)都滿足設(shè)計(jì)要求。
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更新時(shí)間:2026-01-09 19:53:51
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